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超精密拋光光學元件具備埃(Å)以下的表面粗糙度,是精密雷射光學元件應用的理想選擇 |
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可補足離子光束濺鍍 (IBS) 鍍膜的不足之處,打造損耗極低的光學元件 |
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包括溫度、酸鹼值及拋光液輸入在內的拋光參數都必須嚴密控管 |
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埃(Å)以下測量接近設備雜訊底層時,度量扮演關鍵角色 |
由於雷射系統持續不斷追求更高光通量及降低損耗,因此需要盡可能減少散射的光學元件,特別是在使用高功率雷射或短波長的情況下。透過超低表面粗糙度達成以上目標的光學元件,通常稱為「超精密拋光」。目前並沒有產業標準規定超精密拋光光學元件的粗糙度,不過愛特蒙特光學®已開發製程,可拋光光學元件表面,讓 RMS 表面粗糙度降低至 1 埃 (10-10 m) 以下,達到百萬分點等級的散射效能。超精密拋光光學元件是敏感雷射應用的理想選擇,例如適合氣體分析及雷射陀螺儀的孔腔內共振衰減系統,以及其他需要低瑕疵光學元件的系統。這類表面受到高度控制,能夠補足離子束濺鍍 (IBS) 等低損耗鍍膜技術的不足之處。
每種度量裝置都有自己可測量的空間頻率範圍。圖 1 顯示測量表面粗糙度常用技術重疊的空間頻率範圍:傳統干涉計量、白光干涉 (WLI) 及原子力顯微鏡 (AFM)。
不同的空間頻率範圍,可對應不同類型的表面誤差。這些頻率群組並沒有明確定義的邊界,不過一般都瞭解其中涵蓋特定的頻率範圍。傳統 HeNe 干涉儀顯然適合量測與一般 Zernike 多項式有關的低空間頻率,也就是所謂的面形誤差。HeNe 干涉儀的測量範圍,與 WLI 的中度空間頻率範圍略有重疊,不過 WLI 更適合量測更精細的表面誤差,也就是所謂的波紋。在此範圍中,誤差開始會形成散射及效能退化等情形。WFI 及 AFM 都可量測粗糙度,不過重要的空間頻率群組則視應用而定。視覺及波長較長的應用一般測量時低於 2,000 週期/mm,因此可使用 WLI。AFM 則適合用於更深入檢驗表面,並可能是測量 UV 應用所需高空間頻率的必要選擇。
如果選擇空間頻率範圍較高的儀器,就必須承受視野較小的問題。AFM 可用於直接量測埃以下粗糙度的表面,不過由於視野較小及敏感度的問題,因此更適合在實驗室使用,而不是在生產環境中測量粗糙度。AFM 與 WLI 之間的資料關聯性,以及確保 WLI 達到最佳效能的各項步驟,讓愛特蒙特光學®得以驗證 WLI 能夠成為有效工具,在生產環境中量測超精密拋光表面埃以下的 RMS 表面粗糙度。有關埃以下表面粗糙度度量的完整詳細資料,請參閱 SPIE 會議論文2
傳統的消除式光學元件拋光是一種反覆製程,其中使用粗細度越來越細的磨料,移除先前研磨及拋光步驟造成的損傷。但不論使用多細的磨料,游離的研磨拋光都會自然造成次表面損傷。位在表面及其之下的損傷將會增加表面粗糙度及能量吸收,導致提升能量散射,同時產生熱及降低系統效率。散射與表面粗糙度平方成比例關係。
不過愛特蒙特光學製作超精密拋光光學元件的製程,則完全消除了次表面損傷,其中將重點由機械拋光製程轉移至拋光液、玻璃及拋光磨料之間的化學反應。機械僅用於移除基材元素,作為在比耳拜 (Beilby) 層之中發生的反應。石英玻璃不溶於水,比耳拜層則是在拋光期間形成的石英層,會因為氫氧離子的擴散作用而改變;比耳拜層形成後,就可保護基材避免進一步變化。3
表面粗糙度在埃(Å)以下的光學元件,是以沉浸式拋光技術製造,其中會將含水磨料及研磨液維持在與光學元件相同的溫度。兩者的溫度及酸鹼值都受到嚴密控制,以促進化學反應,同時表面張力則形成屏障避免污染物。4 如需愛特蒙特光學所開發的沉浸式拋光製程完整詳細資料,請參閱另一份 SPIE 會議論文。
愛特蒙特光學證明可在以熔融石英製造的平面及球面光學元件上,重複實現埃(Å)以下的超精密拋光表面。這類表面沒有製造製程留下的可見結構,也沒有可量測的次表面損傷(表 1)。
超精密拋光前的熔融石英光學元件 | |||||||||||
P-V (Å) | RMS (Å) | Ra (Å) | |||||||||
平均 | 183.42 | 7.42 | 5.70 | ||||||||
範圍 | 2089.92 | 18.24 | 11.19 | ||||||||
標準差 | 186.88 | 2.91 | 1.82 |
超精密拋光後的熔融石英光學元件 | |||||||||||
P-V (Å) | RMS (Å) | Ra (Å) | |||||||||
平均 | 14.24 | 0.91 | 0.77 | ||||||||
範圍 | 2.26 | 0.03 | 0.21 | ||||||||
標準差 | 1.14 | 0.02 | 0.06 |
超精密拋光表面可補足離子束濺鍍 (IBS) 等低損耗鍍膜技術的不足之處,這是因為在運用精密技術沈積前述鍍膜時,其效能一般會因為玻璃基材的粗糙度而受限。請與我們聯絡討論各種客製的超精密拋光光學元件,或瀏覽以下的現貨產品。
雖然 AFM 能夠測量更高的空間頻率,解析更細微的細節,但由於視野小以及對環境因素的高敏感度,因此不適合在生產環境進行度量。WLI 已證實能夠成功量測埃以下的 RMS 表面粗糙度,同時避免 AFM 的前述缺點。2
就 556nm 波長所對應的特定特徵大小而言,儀器有能力以合理的保真度加以成像;這是對儀器橫向分辨率所做的量測。RMS 限制通常是在垂直分辨率方面進行探討,大體上是儀器雜訊底層的函數,與特徵大小無關。5
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