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極紫外線 (EUV) 平面反射鏡

Extreme Ultraviolet (EUV) Flat Mirrors

Extreme Ultraviolet (EUV) Flat Mirrors

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  • 在 13.5nm 達到最高反射率
  • 專為 EUV 光束轉向及諧波分離所設計
  • 提供 5° 及 45° AOI 版本

極紫外線 (EUV) 平面反射鏡為多層反射鏡,設計用於在設計波長及入射角達到最高反射率。這類反射鏡採用於超拋光單晶矽基材沉積的鍍膜,表面粗糙度低於 3Å RMS。45° AOI 反射鏡適合用於轉向 S 偏振光束,5° AOI 反射鏡則可用於非偏振光束。EUV 反射鏡應用包括同調繞射成像 (CDI) 及材料科學研究。極紫外線 (EUV) 平面反射鏡也能作為高諧波產生 (HHG) 光束的諧波選擇器。

請注意:包含各個反射鏡生產運行樣本的測試數據。

一般規格

Diameter (mm):
25.40 ±0.25
Back Surface:
Commercial Polish
Clear Aperture (%):
90
Edges:
Fine Ground
Parallelism (arcmin):
3
Surface Roughness (Å):
<5 RMS
Thickness (mm):
6.35 ±0.508
Thickness Tolerance (mm):
0.508
Surface Flatness (P-V):
λ/10 @ 632.8nm
Substrate:
Single Crystal Silicon
Surface Quality:
10 - 5
Coating:
Mo/Si Multilayer
Top Layer: Silicon
Coating Type:
Metal/Semiconductor
Design Wavelength DWL (nm):
13.5
Center Energy (eV):
92

產品

Dia. (mm)  Coating Specification   Coating  AOI (°)  Thickness (mm)   比較   庫存號碼   價格  Buy
25.40 Rabs >60% @ 13.5nm, 5° (s-pol) Mo/Si Multilayer
Top Layer: Silicon
5 6.35
25.40 Rabs >65% @ 13.5nm, 45° (s-pol) Mo/Si Multilayer
Top Layer: Silicon
45 6.35

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