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極紫外線 (EUV) 平面反射鏡為多層反射鏡,設計用於在設計波長及入射角達到最高反射率。這類反射鏡採用於超拋光單晶矽基材沉積的鍍膜,表面粗糙度低於 3Å RMS。45° AOI 反射鏡適合用於轉向 S 偏振光束,5° AOI 反射鏡則可用於非偏振光束。EUV 反射鏡應用包括同調繞射成像 (CDI) 及材料科學研究。極紫外線 (EUV) 平面反射鏡也能作為高諧波產生 (HHG) 光束的諧波選擇器。
請注意:包含各個反射鏡生產運行樣本的測試數據。
Dia. (mm) | Coating Specification | Coating | AOI (°) | Thickness (mm) | 比較 | 庫存號碼 | 價格 | Buy | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
25.40 | Rabs >60% @ 13.5nm, 5° (s-pol) |
Top Layer: Silicon |
Mo/Si Multilayer5 | 6.35 | #38-759 | NT$88,200 Request Quote |
|
||
25.40 | Rabs >65% @ 13.5nm, 45° (s-pol) |
Top Layer: Silicon |
Mo/Si Multilayer45 | 6.35 | #38-760 | NT$88,200 Request Quote |
|
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