0.12mm Dia., TO-46 Package, InGaAs Photodiode

產品系列說明

• 響應範圍 900nm ～ 1700nm
• 封裝支援單模和多模光纖耦合
• 小面積（高速）和大面積
• 另有 分段式 InGaAs 光電二極體 可選

銦鎵砷光電二極體（InGaAs ）在 900 nm ～ 1700 nm波長範圍內具有極佳的響應度，感應作動區範圍從 0.07 mm ～ 3.0 mm不等。光電二極體的感應作動區尺寸小於 1 mm，在 1100 nm ～ 1620 nm波長範圍內具有低電容、低暗電流和高回應度的特點，適用於高速資料通訊和電信應用。光電二極體的感應作動區尺寸在 1 mm及以上，具有大感應作動區、低雜訊和高分流電阻的特點，可實現對微弱信號的高靈敏度。InGaAs 光電二極體採用 TO-46、TO-18 或 TO-5 封裝，不同封裝會帶有球透鏡或雙面抗反射鍍膜窗鏡。這些光電二極體是多種研究和 OEM 應用的理想之選，包括紅外雷射對準、醫療診斷和化學分析。

注意：為確保入射光的中心位置，建議使用 聚焦透鏡 或 針孔，因為光電二極體晶片邊緣的不均勻性會導致探測器響應率降低。